Тактовая частота - 1600 МГц; Тип памятиDDR3, Row Precharge Delay (tRP)7,
Форм-фактор - DIMM 240-контактный, Activate to Precharge Delay (tRAS) - 20; Поддержка ECCнет, Пропускная способность: 12800 Мб/с,
Напряжение питания - 1.8 В. Низкопрофильная (Low Profile): нет.