Форм-фактор - DIMM 240-контактный, Объем - 1 модуль 512 Мб. Напряжение питания - 1.8 В,
RAS to CAS Delay (tRCD): 3; Буферизованная (Registered) - нет; Радиатор - есть,
Row Precharge Delay (tRP) - 3,
Пропускная способность4200 Мб/с.
Тип памяти - DDR2.