Тип памятиDDR2;
CAS Latency (CL)4;
Поддержка ECCнет,
Объем - 1 модуль 1 Гб. Низкопрофильная (Low Profile)нет, Activate to Precharge Delay (tRAS) - 12,
Форм-факторDIMM 240-контактный,
...

Напряжение питания - 1.9 В, Радиатор: есть; Объем - 2 модуля по 2 Гб; Тип памятиDDR2; CAS Latency (CL)5. Тактовая частота: 800 МГц,
Row Precharge Delay (tRP): 5; Форм-фактор: DIMM 240-контактный;
...

Буферизованная (Registered): нет. Activate to Precharge Delay (tRAS): 15;
Напряжение питания2.2 В.
Поддержка ECC - нет; Низкопрофильная (Low Profile) - нет; Форм-факторDIMM 240-контактны...

Форм-фактор - DIMM 240-контактный;
Activate to Precharge Delay (tRAS)24; RAS to CAS Delay (tRCD): 9;
CAS Latency (CL): 9.
Радиаторесть;
Объем - 3 модуля по 2 Гб. Поддержка ...

RAS to CAS Delay (tRCD)10;
Activate to Precharge Delay (tRAS)30,
Радиаторесть,
Напряжение питания2.05 В;
Тип памяти: DDR3.
CAS Latency (CL) - 10,
Форм-фактор ...

Поддержка ECCнет.
Activate to Precharge Delay (tRAS)27.
Напряжение питания1.9 В,
Объем3 модуля по 2 Гб, Низкопрофильная (Low Profile)нет;
RAS to CAS Delay (tRCD): 9. Row Pr...

Поддержка ECC: нет,
Форм-факторDIMM 184-контактный;
Пропускная способность3200 Мб/с;
Тактовая частота: 400 МГц,
Напряжение питания2.6 В. Буферизованная (Registered) - нет.
...

Форм-факторFB-DIMM 240-контактный. Тип памяти: DDR2,
CAS Latency (CL)5.
Поддержка ECCесть. Тактовая частота - 667 МГц,
Низкопрофильная (Low Profile) - нет. Буферизованная (Registered)да;
...

Поддержка ECC: нет;
Activate to Precharge Delay (tRAS): 20,
Row Precharge Delay (tRP): 7;
Форм-факторDIMM 240-контактный. Низкопрофильная (Low Profile)нет; Буферизованная (Registe...

Поддержка ECC - нет,
Activate to Precharge Delay (tRAS) - 12; Тип памяти: DDR2. Тактовая частота - 800 МГц.
Форм-факторDIMM 240-контактный;
Радиатор - есть. Пропускная способность...