Тип памятиDDR2; CAS Latency (CL)4;
Поддержка ECCнет,
Объем - 1 модуль 1 Гб. Низкопрофильная (Low Profile)нет, Activate to Precharge Delay (tRAS) - 12,
Форм-факторDIMM 240-контактный,
RAS to CAS Delay (tRCD) - 4. Радиаторесть;
Напряжение питания2.2 В;